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美国发现新型二维半导体材料

2016年3月10日 来源：防爆云平台--防爆产业链一站式O2O服务平台 防爆电气、防爆电机、防爆通讯、防爆空调 浏览 1791 次
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　　近日，美国犹他大学发现一种新型二维半导体材料一氧化锡。据了解，该材料可用于制备计算机处理器和图形处理器等电子设备内的晶体管，有助于研制出运行速度更快、更加节约能源的智能手机和计算机等电子设备。
　　
　　当前，电子设备内晶体管的玻璃基板由许多层三维材料构成，如硅材料。其弊端在于当电子通过时，会在所有层内不受控制地四处弹跳。而新发现的一氧化锡材料属于二维半导体材料，玻璃基板只有一层，且间隙只有一两个原子的厚度，电子只能在这一层中通过。因此，产生的摩擦更少，电子的移动速度变得更快。
　　
　　二维半导体材料近5年成为科学研究热点，尽管石墨烯、二硫化钼等多种二维材料已被发现，但这些二维半导体材料只允许带负电荷的电子通过，即N型半导体。而用于制造电子设备晶体管的半导体材料，既需要允许带负电荷的电子通过，也需要带正电荷的粒子通过，即P型半导体。新发现的一氧化锡是有史以来第一种稳定的P型二维半导体材料。

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